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非侵入性脑刺激可以提高记忆力的效率

来自神经学和Skoltech研究中心的一组科学家表明,可以使用非侵入性的大脑磁刺激来调节人的工作记忆。他们还发现,随着大脑在刺激下执行认知任务时,磁刺激的作用减弱。

工作记忆(WM)存储和处理我们日常使用所需的信息。例如,当我们记住一个电话号码直到找到纸片或智能手机将其写下来时,WM机制就会激活。WM障碍在许多神经系统疾病中经常发生,而在健康人中,WM能力与个人的学习能力和一般智力水平相关。

经颅磁刺激(TMS)被认为是有前途的非药理WM增强方法之一,它利用交变磁场的作用而无痛地穿透头皮和颅骨,并在皮质中形成电场。由于TMS可以影响神经可塑性的机制,因此它被用作各种神经系统疾病的治疗方法。已知TMS的效果取决于刺激参数和刺激过程中的大脑活动。将TMS与并发的认知活动相结合已发展成为针对阿尔茨海默氏病患者的认知增强技术。但是,仍然缺乏关于大脑活动如何精确影响TMS效率的数据。

研究人员比较了在有或没有认知负荷的情况下应用刺激时TMS对WM的影响。在刺激20分钟之前和之后评估WM表现。根据在执行WM任务期间形成的个体大脑激活模式来选择刺激区域。结果表明,除了没有认知负荷的TMS以外,WM对其他刺激均无反应。

“我们的研究结果使我们得出结论,认知活动可以降低而不是提高TMS效率。在为健康志愿者和患有各种神经系统疾病的患者开发新的认知增强刺激方案时应牢记这一点。”神经学研究中心神经康复和物理治疗学系主任,RAS准成员Natalya Suponeva说。

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